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第二、三、四講 信號/互連帶寬與時域阻抗
介紹信號完整性的主要對象——時域上升邊及頻域帶寬。介紹信號帶寬、互連本征帶寬、互連本征上升時間、互連模型帶寬、測量帶寬、互連阻抗、時域阻抗、方塊電阻等概念。第五、六講 電容/電感效應(yīng)與趨膚擠近
分析電感、SSN及地彈,討論如何設(shè)計電源、地平面、出砂孔?如何善用導(dǎo)磁物質(zhì)?如何設(shè)計及安裝電容器的去耦量?簡述介電常數(shù)、導(dǎo)磁率等概念。分析自感、互感、凈電感、回路電感、方塊電感,趨膚/擠近與渦流效應(yīng)。第七講 互連線的模型、阻抗及過孔地彈
介紹互連線的傳輸線模型、阻抗及時延分析技術(shù)。以常見穿過電源/地平面的信號過孔為例,剖析過孔引起的地彈噪聲。介紹互連線仿真建模技術(shù)及空間延伸概念。介紹輸入阻抗、瞬時阻抗、特性阻抗的不同用途。第八講 PCB單線網(wǎng)反射/時延退化與對策
介紹高速PCB的TDR阻抗測試技術(shù),典型的TDR應(yīng)用和測試。分析各種單線網(wǎng)的拓?fù)湓O(shè)計、各種單線網(wǎng)模型分析;互連阻抗臺階、感性、容性突變下的多種反射/時延退化現(xiàn)象。介紹菊花鏈、遠(yuǎn)端簇、源端匹配及補(bǔ)償對策等。第九講 損耗退化/ISI改善技術(shù)
分析趨膚/擠近效應(yīng)下的導(dǎo)線損耗和介質(zhì)損耗如何造成上升邊損耗退化?分析介質(zhì)損耗與耗散因子的特點,損耗如何吃掉高頻分量?如何影響時序完整性?如何用眼圖分析符號間干擾ISI及抖動?第十講 PCB多線網(wǎng)間串?dāng)_與減小措施
基于互容、互感的傳輸線串?dāng)_分析技術(shù),深入研究微帶線、帶狀線的近端、遠(yuǎn)端串?dāng)_模型及飽和長度。介紹串?dāng)_如何形成時序錯位?為什么帶狀線沒有遠(yuǎn)端串?dāng)_?如何設(shè)計防護(hù)線、屏蔽線?介紹如何設(shè)計微帶線和帶狀線以避免串?dāng)_?第十一講 差分對設(shè)計與共模/EMI抑制
介紹流行的差分對設(shè)計口訣。重點介紹差分信號及阻抗/共模信號及阻抗、奇模阻抗/偶模阻抗、差分—共模、奇模—偶模的分解及倍數(shù)關(guān)系。介紹“奇小偶大”、“奇快偶慢”的原理。介紹基于差分對模型的串?dāng)_新解。介紹差分對設(shè)計、匹配設(shè)計技術(shù)及性能分析、研究共模抑制及EMI屏蔽問題,介紹雙絞線、電感扼流圈、磁芯磁環(huán)的性能特點。第十二講 S-參數(shù)仿真/測量及應(yīng)用
S-參數(shù)是刻畫互連新的完備標(biāo)準(zhǔn)。介紹S-參數(shù)仿真和測量。包括:S-參數(shù)矩陣、返回?fù)p耗S11、插入損耗S21與互連透明度、串?dāng)_及差分S-參數(shù)。重點討論單線網(wǎng)雙端口的窄帶下沖及差分對S-參數(shù)的測量/仿真與轉(zhuǎn)換技術(shù)。同時,將時域眼圖生成與頻域S-參數(shù)測量做一個一體化對接介紹。第十三講 電源完整性分析與電源分配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計
電源完整性(PI)只是電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的目標(biāo)之一。電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN),包含從穩(wěn)壓模塊(VRM)到芯片焊盤;再到裸芯片內(nèi)分配電壓/電流的所有互連。推介有效的目標(biāo)阻抗法(FDTI),重點對去耦電容器的數(shù)量與容量選擇技術(shù)、寄生固有電感/安裝電感/擴(kuò)散電感的降低技術(shù)進(jìn)行充分的分析與設(shè)計。第十四講 鏈路I/O接口與抖動分析
介紹信號完整性技術(shù)的新進(jìn)展:一個是為何鏈路分析成為重點關(guān)注對象;一個是如何對抖動進(jìn)行分析。選擇課程
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